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参数资料
| 型号： | MPSA42 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型离散半导体元件 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 656K |
| 代理商： | MPSA42 |
Features
l
Through Hole Package
l
150
o
C Junction Temperature
Mechanical Data
l
Case: TO-92, Molded Plastic
l
Marking:
MPSA42 --------- A42
MPSA43 --------- A43
Maximum Ratings @ 25
o
C Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol Value
Unit
Collector-Emitter Voltage MPSA42
MPSA43
V
CEO
300
200
300
200
V
Collector-Base Voltage MPSA42
MPSA43
V
CBO
V
Emitter-Base Voltage MPSA42
MPSA43
V
EBO
5.0
V
Collector Current(DC)
I
C
300
625
5.0
1.5
12
mA
mW
mW/
o
C
W
mW/
o
C
Power Dissipation@T
A
=25
o
C
P
d
Power Dissipation@T
C
=25
o
C
P
d
Thermal Resistance, Junction to
Ambient Air
Thermal Resistance, Junction to
Case
Operating & Storage Temperature
200
o
C/W
83.3
o
C/W
T
j
, T
STG
-55~150
o
C
MPSA42
THRU
MPSA43
NPN Silicon High
Voltage Transistor
625mW
Pin Configuration
Bottom View
C
B
E
TO-92
INCHES
MIN
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MM
DIM
A
B
C
D
E
G
MAX
.185
.185
---
.020
.145
.105
MIN
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
MAX
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
NOTE
A
E
B
C
D
G
DIMENSIONS
www.
mc c semi
.c om
RJC
RJA
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA43 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MPSA43 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| MPSA42 | XC2S30-6VQG100C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| MPSA43 | High Voltage Transistors |
| MPSA43 | NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS-A42 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| MPSA42 AMO | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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