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参数资料
| 型号： | MPSA42 |
| 厂商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE ) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶体管（高电压，电话） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 656K |
| 代理商： | MPSA42 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSA42
MPSA43
V(BR)CEO
300
200
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
MPSA42
MPSA43
V(BR)CBO
300
200
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 200 Vdc, IE = 0)
(VCB = 160 Vdc, IE = 0)
MPSA42
MPSA43
ICBO
—
—
0.25
0.1
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB =
3.0
Vdc, IC = 0)
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
MPSA42
MPSA43
IEBO
—
—
0.25
0.1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC =
50
mAdc, VCE = 10 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
hFE
25
80
25
—
250
—
MPSA42
MPSA43
VCE(sat)
—
—
0.5
0.4
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
0.9
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC =
10
mAdc, VCE =
5
Vdc, f =
30
MHz)
fT
50
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
MPSA42
MPSA43
Ccb
—
—
3.0
4.0
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
M C C
www.
mc c semi
.c om
MPSA42
thru
MPSA43
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA43 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE ) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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