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参数资料
| 型号： | MPSA42 |
| 厂商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | MPSA42 |
IPN= 4869246 0000336 470
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA92 | 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE720 | NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MPS3640 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MJE720 | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MM3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS-A42 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| MPSA42 AMO | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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