- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录80645 > MPSA42TRD (CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP) 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MPSA42TRD |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | MPSA42TRD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS751TRG | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE3055TAJ | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE3055TT | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPS3708TRE | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56/D27Z{OPTION5} | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA42ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA42ZL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA43 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A43 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| MPSA43,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。