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参数资料
| 型号： | MPSA55-18 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | MPSA55-18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA56-5 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA06/D26Z-J25Z | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA06/D11Z-J25Z | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA06-J25Z | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA06/D81Z-J22Z | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA55-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA55-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA55-BP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Amplifier Transistor |
| MPSA55G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA55G-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
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