型号: | MPSA55-18F |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | TO-92-18F, 3 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 406K |
代理商: | MPSA55-18F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPSA26TRF | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6507TRG | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPSA77TRG | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPSA77TRH | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6563TRF | 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSA55-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA55-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA55-BP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Amplifier Transistor |
MPSA55G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA55G-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |