参数资料
型号: MPSA55{OPTION5}
厂商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数: 1/9页
文件大小: 719K
代理商: MPSA55{OPTION5}
相关PDF资料
PDF描述
MPSH24{OPTION18} 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6518/D27Z{OPTION18} 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06/D27Z 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA12/D11Z{OPTION18} 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA43/D29Z{OPTION5} 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSA55RLRA 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA55RLRAG 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA55T3 制造商:National Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, BJT, PNP, 60V V(BR) CEO, 500MA I(C), TO-92, FORMED LEADS
MPSA55-T92-B 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55
MPSA55-T92-K 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55