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参数资料
| 型号： | MPSA55-STYLE-G |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | MPSA55-STYLE-G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5086-HIGH | 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
| MMBT5088/S62Z | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MG20G4GL1 | 20 A, 450 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MPS3703D74Z | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA55T3 | 制造商:National Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, BJT, PNP, 60V V(BR) CEO, 500MA I(C), TO-92, FORMED LEADS |
| MPSA55-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
| MPSA55-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
| MPSA56 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A56 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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