| 型号: | MPSA55TRB |
| 厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数: | 5/6页 |
| 文件大小: | 406K |
| 代理商: | MPSA55TRB |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13005AJ | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSD54TRG | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA29TRC | 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92TRH | 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS706STOA | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA56 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A56 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| MPSA56 DIE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| MPSA56 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |