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参数资料
| 型号： | MPSA63-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | MPSA63-AP |
MPSA63
MPSA64
PNP Darlington
Transistor
Features
Capable of 1.5Watts of Power Dissipation
Collector Current –500mA
Operating Junction Temperature Range: -55
to +150
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 5
2010/08/18
TM
Micro Commercial Components
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
-30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-10
V
IC
Collector Current, Continuous
-500
mA
TJ
Operating Junction Temperature
150
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
Thermal Characteristics
Symbol
Rating
Max
Unit
PD
Total Device Dissipation @ TA=25
Derate above 25
625
5.0
mW
mW/
PD
Total Device Dissipation @ TA=25
Derate above 25
1.5
12
Watts
mW/
R JC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
/W
R JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
/W
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=-100Adc,VBE=0)
-30
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=-30c, IE=0)
---
-100
nAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=-0Vdc, IC=0)
---
-100
nAdc
* Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%
www.mccsemi.com
1 of 3
TO-92
A
E
B
C
D
G
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.170
.190
4.33
4.83
B
.170
.190
4.30
4.83
C
.550
.590
13.97
14.97
D
.010
.020
0.36
0.56
E
.130
.160
3.30
3.96
G
.096
.104
2.44
2.64
CB
E
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Marking:MPSA63,MPSA64
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA64-BP | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64-AP | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63-BP | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63D27Z | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63D26Z | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA63G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA63RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA63RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA63RLRM | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA63RLRMG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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