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参数资料
| 型号： | MPSA63TRA |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | MPSA63TRA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE801T | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE3055TUA | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPS2222AL | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA92AMO | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA06-18RLEADFREE | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA63ZL1 | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA63ZL1G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA64 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP GP Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS-A64 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILCON DARLINGTON TRANSISTORS |
| MPSA64,116 | 功能描述:达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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