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参数资料
| 型号： | MPSA64RLRP |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | MPSA64RLRP |
Darlington Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPSA62
MPSA63
MPSA64
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
–20
–30
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
–20
–30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
–10
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, VBE = 0)
MPSA62
MPSA63, MPSA64
V(BR)CES
–20
–30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB= –15 Vdc, IE = 0)
MPSA62
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
MPSA63, MPSA64
ICBO
—
–100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–100
nAdc
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 1
884
Publication Order Number:
MPSA62/D
MPSA62
MPSA63
MPSA64
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
MPSA64 is a Preferred Device
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA64RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62ZL1 | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA65 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS-A65 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON RANSISTORS |
| MPSA65_D26Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA65_D27Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA65_D75Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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