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参数资料
| 型号： | MPSA64TPE2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | MPSA64TPE2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE1502916A | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MTP33N10ET | 33 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP8P1016 | 8 A, 100 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP8P10U2 | 8 A, 100 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MPSA06/D27Z-5 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA65 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPS-A65 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON RANSISTORS |
| MPSA65_D26Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA65_D27Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA65_D75Z | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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