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参数资料
| 型号： | MPSA77P |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | MPSA77P |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 JUNE 94
FEATURES
* 60 Volt VCEO
* Gain of 10k at IC=100mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-10
V
Continuous Collector Current
IC
-500
mA
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
625
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-60
V
IC=-100A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-60
V
IC=-100A, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-10
V
IE=-10A, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
-100
nA
VCB=-50V, IE=0
Collector Cut-Off
Current
ICES
-500
nA
VCE=-50V
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
-100
nA
VEB=-10V, IC=0
Collector-Emitter
On Voltage
VCE(sat)
-1.5
V
IC=-100mA, IB=-0.1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(on)
-2
V
IC=-100mA, VCE=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
10k
IC=-10mA, VCE=-5V*
IC=-100mA, VCE=5V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
MPSA77P
3-83
C
B
E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA92ML-T92-B | 800 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92MG-T92-B | 800 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92ML-T92-K | 800 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92MG-T92-R | 800 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92 | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSA77PSTOA | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77PSTOB | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77PSTZ | 功能描述:达林顿晶体管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSA77RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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