参数资料
型号: MPSA92-18R
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-92-18R, 3 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 406K
代理商: MPSA92-18R
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PDF描述
MPSA92TRA 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA62TRG PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA62TRH PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MJ2955SPL 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MA42020 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSA92-AP 功能描述:两极晶体管 - BJT 300V, 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA92-B 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA92-BP 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA92DA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP
MPSA92DB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP