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参数资料
| 型号： | MPSA92AMO |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MPSA92AMO |
2001 Dec 07
4
Philips Semiconductors
Product specication
PNP high-voltage transistor
MPSA92
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43
97-02-28
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA06-18RLEADFREE | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| MPSA45-18FLEADFREE | 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSL51-18RLEADFREE | 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56LEADFREE | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MPSA92-B | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92-BP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA92DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP |
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