型号: | MPSA92M1TC |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 51K |
代理商: | MPSA92M1TC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJE13004LEADFREE | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MPSA92/D28Z{OPTION18} | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6514/D89Z{OPTION5} | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6515/D27Z{OPTION18} | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPSA14/D81Z | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSA92RA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA92RA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA92RL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistors |
MPSA92RL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA92RL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |