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参数资料
型号： MPSH10
厂商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数： 6/6页
文件大小： 135K
代理商： MPSH10
Small Signal Transistors
TO-92 Case (Continued)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
TYPE NO.
DESCRIPTION
LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
hFE
@VCE @ IC VCE (SAT ) @ IC Cob
fT
NF
toff
CODE
(nA)
(V)
*ICES
(V)
*hFE
(V)
(mA)
(V)
(mA)
(pF) (MHz) (dB)
*VCES
*ICEV
(1kHZ)
*Crb *TYP
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX MAX
PN3641
NPN AMPL/SWITCH
EBC
60
30
5.0
50*
50
40
120
10
150
0.22
150
8.0
150
- -
150
PN3642
NPN AMPL/SWITCH
EBC
60
45
5.0
50*
50
40
120
10
150
0.22
150
8.0
150
- -
150
PN3643
NPN AMPL/SWITCH
EBC
60
30
5.0
50*
50
100
300
10
150
0.22
150
8.0
250
- -
150
PN3644
PNP AMPL/SWITCH
EBC
45
5.0
35*
30
100
300
10
150
1.0
300
8.0
200
- -
100
PN3645
PNP AMPL/SWITCH
EBC
60
5.0
35*
50
100
300
10
150
1.0
300
8.0
200
- -
100
PN3646
NPN SAT SWITCH
EBC
40
15
5.0
500*
20
30
120
0.40
30
0.50
300
5.0
350
- -
28
PN3694
NPN AMPL/SWITCH
EBC
45
4.0
50
30
100
400
10
- -
6.0
200
- -
PN4249
PNP LOW NOISE
EBC
60
5.0
10
40
100
300
5.0
0.10
0.25
10
6.0
40
3.0
- -
PN4250A
PNP LOW NOISE
EBC
60
5.0
10
50
250
700
5.0
0.10
0.25
10
6.0
50
2.0
- -
PN4258
PNP SAT SWITCH
EBC
12
4.5
10*
6.0
30
120
3.0
10
0.50
50
3.0
700
- -
20
PN4274
NPN SAT SWITCH
EBC
30
12
4.5
400*
20
35
120
1.0
10
0.50
100
4.0
400
- -
12
PN4275
NPN SAT SWITCH
EBC
40
15
4.5
400*
20
35
120
1.0
10
0.50
100
4.0
400
- -
12
PN4354
PNP AMPL/SWITCH
EBC
60
5.0
50
500
10
0.50
500
30
100
3.0
400
PN4355
PNP AMPL/SWITCH
EBC
60
5.0
50
100
400
10
1.0
1,000
30
100
3.0
400
PN4356
PNP AMPL/SWITCH
EBC
80
5.0
50
250
10
0.50
500
30
100
3.0
400
PN4916
PNP AMPL/SWITCH
EBC
30
5.0
25
15
70
200
1.0
10
0.30
50
4.5
400
4.0
- -
PN4917
PNP AMPL/SWITCH
EBC
30
5.0
25
15
150
300
1.0
10
0.30
50
4.5
450
4.0
- -
PN5127
NPN AMPL/SWITCH
EBC
20
12
3.0
50
10
15
300
10
2.0
0.30
10
3.5
150
- -
PN5128
NPN AMPL/SWITCH
EBC
15
12
3.0
50
10
35
350
10
50
0.25
150
10
150
- -
PN5129
NPN AMPL/SWITCH
EBC
15
12
3.0
50
10
35
350
10
50
0.25
150
10
- -
PN5130
NPN RF OSC
EBC
30
12
1.0
50
10
15
250
10
8.0
0.60
10
1.7
- -
400
- -
PN5131
NPN AMPL/SWITCH
EBC
20
15
3.0
50
10
30
50
1.0
10
1.0
10
6.0
100
- -
PN5132
NPN AMPL/SWITCH
EBC
20
3.0
50
10
30
400
10
2.0
10
3.5
200
4.0
- -
PN5133
NPN LOW NOISE
EBC
20
18
3.0
50
15
60
1,000
5.0
1.0
0.40
1.0
5.0
40
- -
PN5134
NPN SAT SWITCH
EBC
20
10
3.5
10,000
15
20
150
1.0
10
0.25
10
4.0
250
- -
18
PN5135
NPN AMPL/SWITCH
EBC
30
25
4.0
300
15
50
600
10
1.0
100
25
40
- -
PN5136
NPN AMPL/SWITCH
EBC
30
20
3.0
100
20
400
1.0
150
0.25
150
35
40
- -
PN5137
NPN AMPL/SWITCH
EBC
30
20
3.0
100
20
400
1.0
150
0.25
150
35
40
- -
PN5138
PNP AMPL/SWITCH
EBC
30
5.0
50
20
50
800
10
0.10
0.30
10
7.0
30
- -
PN5139
PNP AMPL/SWITCH
EBC
20
5.0
50*
15
40
- -
1.0
10
0.50
50
5.0
300
- -
200
PN5142
PNP AMPL/SWITCH
EBC
20
4.0
50*
12
30
- -
1.0
50
2.0
300
10
- -
200
PN5143
PNP AMPL/SWITCH
EBC
20
4.0
50*
12
30
- -
1.0
50
2.0
300
10
- -
200
PN5825
NPN AMPL/SWITCH
EBC
50
40
5.0
50
40
100
200
5.0
2.0
0.125
10
4.0
90
- -
PN5826
NPN AMPL/SWITCH
EBC
50
40
5.0
50
40
150
300
5.0
2.0
0.125
10
4.0
90
- -
PN5827
NPN AMPL/SWITCH
EBC
50
40
5.0
50
40
250
500
5.0
2.0
0.125
10
4.0
90
- -
PN5828
NPN AMPL/SWITCH
EBC
50
40
5.0
50
40
400
800
5.0
2.0
0.125
10
4.0
90
- -
PN5910
PNP SAT SWITCH
EBC
20
4.5
10*
10
30
120
0.30
10
0.50
50
3.0
700
- -
20
PN6010
NPN AMPL/SWITCH
EBC
50
40
5.0
10
25
100
300
1.0
10
0.50
500
10
105
5.0
400
Devices are available lead formed,
See pages 216 thru 219 for details.
Also available in Ammopack or Tape & Reel,
See pages 230 thru 235 for details.
(6-December 2004)
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PDF描述
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MJE251 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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MPSH10_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor
MPSH10_07 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Transistors NPN Silicon
MPSH10_D26Z 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MPSH10_D27Z 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MPSH10_D74Z 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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