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参数资料
| 型号： | MPSH10J18Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MPSH10J18Z |
3
Common Base Y Parameters vs. Frequency
Input Admittance
100
200
500
1000
-120
-80
-40
0
40
80
120
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
INP
U
T
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(m
m
h
o
s
)
ib
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
g
ib
b ib
Output Admittance
100
200
500
1000
0
2
4
6
8
10
12
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
OUT
P
UT
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(m
m
h
o
s
)
ob
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
g ob
bob
Forward Transfer Admittance
100
200
500
1000
-120
-80
-40
0
40
80
120
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
F
O
RW
AR
D
AD
M
IT
T
AN
C
E
(
m
h
o
s
)
fb
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
g
fb
b fb
Reverse Transfer Admittance
100
200
500
1000
0
2
4
6
8
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
R
E
V
E
R
SE
A
D
M
IT
T
A
N
CE
(
m
mhos
)
rb
V
= 10V
CE
I
= 5 mA
C
-g rb
-b rb
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10D75Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10D27Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTH10D87Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH10D26Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10J05Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSH10L-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10L-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10P | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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