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参数资料
| 型号： | MPSH10P |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | DEMD9SD |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MPSH10P |
NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTOR
ISSUE 4 FEB 94
FEATURES
*
High f
T
=650MHz min
*
Max. capacitance 0.7pF
*
Low noise <5dB at 500MHz
APPLICATIONS
*
Keyless entry systems
*
Wideband instrumentation amplifiers
*
Telemetry
*
Wireless lans
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
3
V
Continuous Collector Current
I
C
25
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
30
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
25
V
I
C
=1mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
3
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
100
nA
V
CB
=25V, I
E
=0
V
EB
=2V,I
C
=0
I
C
=4mA, I
B
=0.4mA
Emitter Cut-Off Current
100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
0.5
V
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.95
V
IC=4mA, V
CE
=10V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
60
I
C
=4mA, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
C
cb
r
b
C
c
650
MHz
I
C
=4mA, V
CE
=10V f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
=10V, I
C
=4mA,
f=31.8MHz
Collector Base Capacitance
0.7
pF
Collector Base Time
Constant
9
ps
Common-Base Feedback
capacitance
C
rb
0.65
pF
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
Noise Figure
N
f
5
dB
I
C
=2mA, V
=5V,
R
S
=50
,
f=500MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
MPSH10P
C
3-88
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参数描述 |
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