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参数资料
| 型号： | MPSH10RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | MPSH10RL |
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
25
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
3.0
Vdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
125
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
25
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
3.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 25 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 2.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
October, 2001 – Rev. 1
892
Publication Order Number:
MPSH10/D
MPSH10
ON Semiconductor Preferred Devices
CASE 29–04, STYLE 2
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSH10 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSH11-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11/D28Z-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSH10RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10RLRP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10RLRPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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