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参数资料
| 型号： | MPSH10TRD |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | MPSH10TRD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10TRH | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE132016A | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE132016 | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE1320AF | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE1320A | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSH10-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH11 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MPSH-11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| MPSH11_D27Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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