型号: | MPSH24/D26Z{OPTION18} |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 64K |
代理商: | MPSH24/D26Z{OPTION18} |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPS8098/D89Z | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPS6534/D29Z{OPTION18} | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MRF5583HX | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
MJ10024 | 20 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
MMBF5459S62Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSH30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
MPSH31 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-92 |
MPSH32 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | TO-92 |
MPSH34 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
MPSH34_D26Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Radio Freq Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |