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参数资料
| 型号： | MPSW01 |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 391K |
| 代理商： | MPSW01 |
MPSW01
NPN High Current
Transistor
Features
Capable of 1.0Watts of Power Dissipation.
Maximum Ratings*
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
40
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current, Continuous
1000
mA
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Thermal Characteristics
Symbol
Rating
Max
Unit
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
OC
1.0
8.0
W
mW/
OC
RJC
Thermal Resistance, Junction to Case
50
OC/W
RJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
125
OC/W
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(IC=10mAdc, IB=0)
30
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100uAdc, IE=0)
40
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=100uAdc, IC=0)
5.0
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=30Vdc, IE=0)
---
0.1
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=3.0Vdc, IC=0)
---
0.1
uAdc
ONCHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
(IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc)
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)
(IC=1000mAdc, VCE=1.0Vdc)
55
60
50
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=1000mAdc, IB=100mAdc)
---
0.5
Vdc
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
(IC=1000mAdc, VCE=1.0Vdc)
---
1.2
Vdc
* Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%
Pin Configuration
Bottom View
C B E
TO-92
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.175
.185
4.45
4.70
B
.175
.185
4.46
4.70
C
.500
---
12.7
---
D
.016
.020
0.41
0.63
E
.135
.145
3.43
3.68
G
.095
.105
2.42
2.67
A
E
B
C
D
G
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW01ARLRA | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01ARLRM | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01RL1 | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01RLRP | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01AZL1 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSW01_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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