型号: | MPSW06D26Z |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 24K |
代理商: | MPSW06D26Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPSW06RLRB | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSW06G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW06RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW06RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW10 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
MPSW13 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |