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参数资料
| 型号： | MPSW10 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW10 |
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2–690
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
One Watt High Voltage Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
300
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
300
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watt
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
300
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
300
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 200 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
0.2
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
0.1
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSW10
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW10ZL1 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW10RLRA | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW10RL | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW10RLRE | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARLRA | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSW13 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW13RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW13RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW14 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW3725 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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