型号: | MPSW64 |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 22K |
代理商: | MPSW64 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MPSA64/D11Z-18 | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPSA64/D74Z-5 | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPSW64-J61Z | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPSA64/D29Z | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MPSA64/D29Z-J25Z | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MPSW92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW92_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
MPSW92G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW92RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW92RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |