型号: | MPTE-12CB |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 173K |
代理商: | MPTE-12CB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPTE-5B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
MPTE-12T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
MPTE-15B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
MPTE-22CT | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
MPTE-22CB | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPTE-12G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
MPTE-12RL4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
MPTE-12RL4G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
MPTE-15 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
MPTE-15 (1N6377) | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |