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参数资料
| 型号： | MPTE-36CB |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MPTE-36CB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5237 | 8.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5259B | 39 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MBR3045WT | 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| MQ1N4678TR | 1.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| MQ1N4685C-1 | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPTE-36G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
| MPTE-36RL4 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
| MPTE-36RL4G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
| MPTE-45 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
| MPTE-45 (1N6381) | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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