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参数资料
| 型号： | MPTE-8 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE 1, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | MPTE-8 |
1500 WATT LOW CLAMPING FACTOR
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2008
10-09-2008 REVD
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6373 thru 1N6389, e3
or MPTE-5 thru MPTE-45C, e3
1N6
373
thru
1N6
389,
e3
MPTE-5
thr
u
MPTE-45
C
,e3
time (t) in milliseconds
FIGURE 4
FIGURE 3
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
Pulse wave form for exponential surge
(Unidirectional Types)
FIGURE 5
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
(Bidirectional Types)
PACKAGE DIMENSIONS
Dimensions in inches (mm)
CASE 1
Pulse time duration (tp) is
defined as that point where
IP decays to 50% of peak
value (IPP).
Peak Value
IPP
Pulse
current
(I
P)
in
percent
of
I
PP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA40482-1008 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
| MA40493-228 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE |
| MAK12ZHW | 3 PHASE, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MAK24BBF | SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MAK24BHF | SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPTE-8 (1N6374) | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MPTE8/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MPTE8/TR12 - Tape and Reel |
| MPTE-8C | 制造商:MDE 制造商全称:MDE Semiconductor, Inc. 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
| MPTE-8C (1N6382) | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MPTE8C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MPTE8C/TR12 - Tape and Reel |
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