参数资料
型号: MR2520LAMP
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 190K
代理商: MR2520LAMP
相关PDF资料
PDF描述
MA1Z110H 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MA3033TX 3.3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MA3047-LTSK 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MA3082-HTSK 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MA3150H 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MR2520LG 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6A 24-32V Transient Suppressor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
MR2520LRL 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6A 24-32V Transient RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
MR2520LRLG 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6A 24-32V Transient Suppressor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
MR2520LRLX 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 REC AXIAL 6A 27V SURGE TR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
MR2520LRLXG 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 REC AXIAL 6A 27V SURGE TR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C