参数资料
| 型号： | MR2A08AMA35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1029 |
DEVICE PIN ASSIGNMENT
Figure 1.2 Pin Diagrams for Available Packages (Top View)
MR2A08A
DC
NC
1
2
44
43
DC
NC
A
A
3
4
42
41
DC
A
1
2
3
4
5
6
A
A
A
E
DQ
DQ
V DD
V SS
DQ
DQ
W
A
A
A
A
A
DC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
A
A
A
G
DQ
DQ
V SS
V DD
DQ
DQ
DC
A
A
A
A
A
DC
DC
NC
DQ
V SS
V DD
DQ
NC
A
G
DC
NC
DQ
DQ
NC
NC
A
A
A
A
A
DC
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
E
NC
DQ
DQ
NC
W
A
DC
DC
DQ
V DD
V SS
DQ
NC
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
DC
22
44 Pin TSOP2
23
DC
48 Pin FBGA
Table 1.2 Operating Modes
E 1
H
L
L
L
G 1
X
H
L
X
W 1
X
H
H
L
Mode
Not selected
Output disabled
Byte Read
Byte Write
V DD Current
I SB1 , I SB2
I DDR
I DDR
I DDW
DQ[7:0] 2
Hi-Z
Hi-Z
D Out
D in
H = high, L = low, X = don’t care
Hi-Z = high impedance
1
2
Everspin Technologies ? 2012
3
MR2A08A Rev. 6, 8/2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A16AMA35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
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| MR0A08BSO35 | IC MRAM 1MBIT 35NS 32SOIC |
| U1AFS600-FGG256I | IC FPGA FUSION SIL SCULP 256FBGA |
| 1393738-4 | CONN BACKSHELL DB37 PLASTIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A08AMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A08AMYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A08AMYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A08AVTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A08AVYS35 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
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