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参数资料
| 型号： | MR856RLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 81K |
| 描述： | DIODE FAST REC 3A 600V DO-201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 300ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1565 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MR856RLGOSCT |
     MR850, MR851, MR852, MR854, MR856 http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol MR850 MR851 MR852 MR854 MR856 Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 50 100 200 400 600 V Non?Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 75 150 250 450 650 V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 V Average Rectified Forward Current (Single phase resistive load, TA = 80 °C) IO 3.0 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions) IFSM 100 (one cycle) A Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg ? 65 to +125 ? 65 to +150 °C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (Note 1) RJA 28 °C/W Thermal Resistance, Junction?to?Lead (Note 1) RJL 5.5 °C/W 1. Mounted with minimum recommended pad size, PC board FR?4. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Forward Voltage (IF = 3.0 A, T J = 25 °C) VF ? 1.04 1.25 V Reverse Current (rated DC voltage) TJ = 25 °C MR850 MR851 MR852 MR854 MR856 TJ = 80 °C IR ? ? ? ? ? ? 2.0 ? 60 ? ? 100 10 150 150 200 250 300 A REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Recovery Time (IF = 1.0 A to V R = 30 Vdc) (IF = 15 A, di/dt = 10 A/ s) trr ? ? 100 150 200 300 ns Reverse Recovery Current (IF = 1.0 A to V R = 30 Vdc) IRM(REC) ? ? 2.0 A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR858 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 800 Volt 150ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MR858 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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