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参数资料
| 型号： | MRA4005T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE STD REC 1A 600V SMA |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 1,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      MRA4003T3G Series, NRVA4003T3G Series http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit MRA4003 MRA4004/ NRVA4004 MRA4005/ NRVA4005 MRA4006/ NRVA4006 MRA4007/ NRVA4007 Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 300 400 600 800 1000 Volts Avg. Rectified Forward Current (At Rated VR, TL = 150 °C) IO 1 Amp Peak Repetitive Forward Current (At Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TL = 150 °C) IFRM 2 Amps Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 30 Amps Storage/Operating Case Temperature Tstg, TC ?55 to 150 °C Operating Junction Temperature TJ ?55 to 175 °C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction?to?Lead (Note 1) Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (Note 2) Rθ R JL θJA 16.2 88.3 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit TJ = 25 °C TJ = 100 °C Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3) (IF = 1 A) (IF = 2 A) VF 1.1 1.18 1.04 1.12 Volts Maximum Instantaneous Reverse Current (at rated DC voltage) IR 10 50 A 1. Minimum Pad Size 2. 1 inch Pad Size 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 250 s, Duty Cycle ≤ 2%. Figure 1. Typical Forward Voltage VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS) 10 1.0 0.1 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 I F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMP S Figure 2. Typical Reverse Current VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 400 350 300 250 200 150 100 50 ?9 0 I R , REVERSE CURRENT (AMPS) 1.0E 0.01 10E?9 100E?9 1.0E?6 10E?6 100E?6 TJ = 150 °C 100°C 25°C ?40°C TJ = 150 °C 100°C 25°C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRS1504T3 | DIODE STD REC 1.5A 400V SMB |
| MSE1PJ-M3/89A | DIODE ESD PROT 1A 600V MICROSMP |
| MSRF860G | DIODE SOFT REC 600V 8A TO-220FP |
| MSS1P2L-M3/89A | DIODE SCHOTTKY 1A 20V MICROSMP |
| MSS1P3-M3/89A | DIODE SCHOTTKY 1A 30V MICROSMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRA4005T1G | 功能描述:整流器 600V 1A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MRA4005T3 | 功能描述:整流器 600V 1A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MRA4005T3G | 功能描述:整流器 600V 1A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MRA4005T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MRA4006 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Standard Recovery Power Rectifier |
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