参数资料
| 型号： | MRF 1.6 AMMO |
| 厂商： | Bel Fuse Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | FUSE 1.6A 250V FAST AMMO MRF |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | MRF |
| 保险丝类型： | 板安装（不包括管筒式） |
| 额定电流： | 1.6A |
| 额定电压 - AC： | 250V |
| 响应时间： | 快速 |
| 封装/外壳： | 径向，罐状，垂直 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 尺寸/尺寸： | 0.329" 直径 x 0.303" L（8.35mm x 7.70mm） |
| 额定电压时的断路容量： | 100A |
| 熔化 I²t： | 1.1 |
| 批准： | CE，CSA，cULus，PSE，SEMKO，VDE |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 包装： | 带盒（TB） |
| DC 抗冷流： | 0.034 欧姆 |
| 其它名称： | MRF1.6AMMO |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P6KE43CHE3/73 | TVS 600W 43V 10% BIDIR AXIAL |
| MRF 1.6 | FUSE 1.6A 250V FAST SHORT MRF |
| P6KE43C-E3/73 | TVS 600W 43V 10% BIDIR AXIAL |
| P6KE43-E3/73 | TVS 600W 43V 10% UNIDIR AXIAL |
| MRF 1.25 AMMO | FUSE 1.25A 250V FAST AMMO MRF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF171 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF171A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF171AMP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| MRF172 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF173 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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