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参数资料
| 型号： | MRF10150 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Microwave Power Transistor, NPN Silicon(微波NPN硅射频功率晶体管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CASE 376B-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MRF10150 |
3
MRF10150
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Series Equivalent Input/Output Impedances
220
180
140
100
60
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
PIN, INPUT POWER (WATTS)
PO
f = 1090 MHz
VCC = 50 V
f
MHz
Zin
OHMS
ZOL* (ZOUT)
OHMS
1030
1060
1090
1120
1150
3.8 + j3.5
4.0 + j3.3
4.2 + j3.0
4.4 + j2.3
4.1 + j1.8
4.6 + j0.7
4.6 + j0.3
4.1 – j1.0
3.8 – j0.8
3.6 – j0.3
POUT = 150 W Pk
VCC = 50 V
ZOL* is the conjugate of the optimum load
impedance into which the device operates at a
given output power voltage and frequency.
f = 1030 MHz
1120
ZOUT (ZOL*)
Zin
1090
1150
1060
Zo = 10
f = 1030 MHz
1060
1090
1120
1150
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PDF描述 |
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参数描述 |
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