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参数资料
| 型号： | MRF15060 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | MRF15060 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF15060S | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRF15090 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRF150 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF1511T1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF151A | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF15060S | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS |
| MRF1507 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL NCHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
| MRF1507T1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL NCHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
| MRF15090 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER TRANSISTOR |
| MRF150J | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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