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参数资料
| 型号： | MRF161 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | SILICON N-CHANNEL RF POWER MOSFET |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | 0.500 INCH, FM-4 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 16K |
| 代理商： | MRF161 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
V
(BR)DSS
I
D
= 5.0 mA
I
DSS
V
DSS
= 28 V
I
GSS
V
GS
= 40 V
V
GS(th)
V
DS
= 10 V
g
fs
V
DS
= 10 V
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 28 V
Z
S
= 67.7+j = 14.1 Z
L
= 14.5+j = 25.7
G
ps
η
NONE
TEST CONDITIONS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 10 mA
I
D
= 100 mA
MINIMUM
65
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
V
mA
μ
A
V
mmhos
1.0
1.0
1.0
6.0
80
V
DS
= 28 V
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
7.0
9.7
2.3
3.0
pF
NF
I
D
= 100 mA f = 400 MHz
dB
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 50 mA P
out
= 5.0 W
11.0
45
13.5
50
dB
%
ψ
V
DD
= 28 V
V
SWR
= 30:1
AT ALL PHASE ANGLES
I
DQ
= 50 mA P
out
= 5.0 W
NO DEGRADRADATION IN OUTPUT POWER
SILICON N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF161
DESCRIPTION:
The
MRF161
is an Enhancement-
Mode N-Channel MOS Broadband RF
Power Transistor for Wideband Large
Signal Amplifier and Oscillator
Applications from 2.0 to 400 MHz.
MAXIMUM RATINGS
I
D
900 mA
V
DSS
65 V
V
GS
±
40 V
P
DISS
17.5 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +150
O
C
10
O
C/W
T
J
T
STG
θ
JC
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
MINIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.255 / 6.48
.980 / 24.89
.7.30 / 18.54
.230 / 5.84
H
.003 / 0.08
.007 / 0.18
DIM
K
L
I
J
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.980 / 24.89
.110 / 2.79
.175 / 4.45
1.050 / 26.67
H
I
K
J
.112x45°
FULL R
C
E
B
G
D
F
A
L
.125 NOM.
.125 / 3.18
.495 / 12.57
.505 / 12.83
.280 / 7.11
D
G
S
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