- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF18030ALSR3 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF18030ALSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 671K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 250mA |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400S |
| 供应商设备封装： | NI-400S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF18030ALR3 MRF18030ALSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1950
10
16
1750
-- 3 0
0
IRL @ 15 W
11 --25VDD
=26Vdc
IDQ
= 250 mA
T=25_C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Wideband Gain and IRL at 30 W and
15 W Output Power
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15 --5Gps@15W
14 --10Gps@30W
IRL @ 30 W
13 --15
12 --20
1800 1850 1900
1920
0
40
1780
Pin
=2W
VDD
=26Vdc
IDQ
= 250 mA
T=25_C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Power versus Frequency
1W
0.5 W
0.25 W
35
30
25
20
15
10
5
1800 1820 1840 1860 1880 1900
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
110100
10
16
0.1
IDQ
= 400 mA
300 mA
VDD
=26Vdc
f = 1840 MHz
T=25_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
200 mA
100 mA
15
14
13
12
11
48
9
16
24
T=25_C
VDD
=26Vdc
IDQ
= 250 mA
f = 1840 MHz
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 6. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
55_C
85_C
15
14
13
12
11
10
26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46
110100
9
0.1
VDD
=22Vdc
30 V
IDQ
= 250 mA
f = 1840 MHz
T=25_C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
28 V
26 V
24 V
15
14
13
12
10
11
15 50Gps
110100
10
16
0.1
0
60
VDD
=26Vdc
12 20IDQ
= 250 mA
f = 1840 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 8. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
η
14 40
13 30
11 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF18060ALR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF18085ALSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF18090AR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| MRF19030LSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| MRF19045LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF18030ALSR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF18030BLR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF18030BLSR3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF18030BR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS |
| MRF18030BSR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。