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参数资料
| 型号： | MRF187SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780S, CASE 465A-06, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | MRF187SR3 |
L
L
L
1
MRF187 MRF187R3 MRF187SR3
Motorola, Inc. 2002
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with
frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of
these devices make them ideal for large–signal, common source amplifier
applications in 26 volt base station equipment.
Guaranteed Performance @ 880 MHz, 26 Volts
Output Power — 85 Watts PEP
Power Gain — 12 dB
Efficiency — 30%
Intermodulation Distortion — –28 dBc
100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 5:1 VSWR
@ 26 Vdc, 880 MHz, 85 Watts CW
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch
Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Drain–Gate Voltage (R
GS
= 1 M
)
V
DGR
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
±
20
Vdc
Drain Current — Continuous
I
D
15
Adc
Total Device Dissipation @ T
C
≥
25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
250
1.43
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +200
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
0.70
°
C/W
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
Order this document
by MRF187/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1.0 GHz, 85 W, 26 V
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFETs
CASE 465–06, STYLE 1
NI–780
MRF187
CASE 465A–06, STYLE 1
NI–780S
MRF187SR3
REV 4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19030 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MRF19030SR3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF19030LR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF19030LSR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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