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参数资料
| 型号： | MRF19030SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 390K |
| 代理商： | MRF19030SR3 |
3
MRF19030R3 MRF19030SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF19030 Test Circuit Schematic
B1 – B5
C1, C7
C2, C8
C3, C5
C4, C6
C9
C10
L1 – L4
R1 – R7
Z1
Z2
Short Ferrite Beads
10 pF Chip Capacitors, B Case
470
μ
F, 35 V Electrolytic Capacitors
0.1
μ
F Chip Capacitors, B Case
5.1 pF Chip Capacitors, B Case
22
μ
F Tantalum Chip Capacitor
0.4 – 2.5 pF Variable Capacitor, Johanson Gigatrim
12.5 nH Inductors
12
Chip Resistors (0805)
0.080
″
x 0.595
″
Microstrip
0.080
″
x 0.600
″
Microstrip
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Substrate
0.080
″
x 0.480
″
Microstrip
0.325
″
x 0.280
″
Microstrip
0.510
″
x 0.200
″
Microstrip
0.510
″
x 0.200
″
Microstrip
0.325
″
x 0.280
″
Microstrip
0.080
″
x 0.480
″
Microstrip
0.080
″
x 0.530
″
Microstrip
0.080
″
x 0.671
″
Microstrip
0.030
″
x 3.00
″
x 5.00
″
Glass Teflon
,
Arlon
Figure 2. MRF19030 Test Circuit Component Layout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19030LR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF19030LSR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF19045SR3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF19045R3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF19045LR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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