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参数资料
| 型号： | MRF19085 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780, CASE 465-06, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 584K |
| 代理商： | MRF19085 |
3
MRF19085R3 MRF19085LR3 MRF19085SR3 MRF19085LSR3
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MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
G
ps
—
13
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
—
36
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
—
-31
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
—
-12
—
dB
P
out
, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 850 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
—
90
—
W
F
Freescale Semiconductor, Inc.
n
.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF19085R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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