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参数资料
| 型号： | MRF19125R3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 391K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 24V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.3A |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF19125R3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
100 120 140 160 180 200
210
1010
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
108
107
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
109
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
12
12.5
13
13.5
14
10 150100
4
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
10
15
20
25
30
35
40
?35
?30
?25
?20
?15
?10
?5
1920 1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 2000
IDQ
= 1700 mA
1500 mA
900 mA
G
ps
, POWER GAIN (dB),
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
η
IMD
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
IRL
Gps
DQ
= 1300 mA
100 kHz Tone Spacing
I
Figure 11. Intermodulation Distortion Products
versus Two-Tone Tone Spacing
?25
100 1000 5000
f, TONE SPACING (kHz)
?30
?35
?40
?45
?50
?55
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 1300 mA
f = 1960 MHz
VDD
= 26 Vdc
Pout
= 125 W (PEP)
1300 mA
1100 mA
VDD
= 26 Vdc
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
7th Order
5th Order
3rd Order
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMF1D33K-F | CAP FILM 3300PF 100VDC AXIAL |
| CDV19FF301JO3 | CAP MICA 300PF 1KV 5% RADIAL |
| MRF21045LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| CDV19FF271JO3F | CAP MICA 270PF 1KV 5% RADIAL |
| KT11P2JM34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF19125R5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF19125S | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF19125SR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1946 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF1946A | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
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