- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21698 > MRF21045LR3 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF21045LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 737K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.16GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400 |
| 供应商设备封装： | NI-400-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
-- 5 5
-- 2 5
0.1
7th Order
VDD
=28Vdc
Pout
= 45 W (PEP)
IDQ
= 500 mA
f1 = 2140 MHz --
Δf/2, f2 = 2140 MHz +
Δf/2
5th Order
3rd Order
10
1f, TONE SEPARATION (MHz)
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
2190
10
40
2090
-- 4 0
-- 1 0
35 --15IRL
Gps
η
IMD
15 --35
30 --20V
DD
=28Vdc
Pout
= 45 W (PEP)
25 --25
IDQ
= 500 mA
f1=f--5MHz,f2=f+5MHz
20 --30
2170
2150
2130
2110
50
60
14
16
4
IDQ
= 700 mA
600 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
15.5
15
14.5
30
10
8
6
500 mA
400 mA
300 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
G
ps
, POWER GAIN (dB),
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Two--Tone Spacing
Δ
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
W--CDMA TEST SIGNAL
Figure 12. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
-- I M 3 i n
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
--ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
(dB)
+20
+30
0
-- 1 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 2 0
--25 2551510
20
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 3 0
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDV19FF271JO3F | CAP MICA 270PF 1KV 5% RADIAL |
| KT11P2JM34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| MRF21010LR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| CDV19FF271JO3 | CAP MICA 270PF 1KV 5% RADIAL |
| Y005620K0000K0L | TRIMMER 20K OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF21045LR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF21045LR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF21045LSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR LDMOS NI400LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF21045LSR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF21045S | 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。