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参数资料
| 型号： | MRF282SR1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-200S, CASE 458B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | MRF282SR1 |
MRF282SR1 MRF282ZR1
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
MRF282
Rev–0
D. W. Joersz
C16
C15
C6
C1
R1
R2
R3
C11
C8
C14
C13
C9
R4
R5
C3
C4
C7
C2
C12
C5
C10
C17
C18
WS1
B1
B3
B4
B2
WS2
Figure 2. 1.93–2.0 GHz Broadband Test Circuit Component Layout
MRF282
Rev–0
D. W. Joersz
(Scale 1:1)
Figure 3. MRF282 Test Circuit Photomaster
(Reduced 18% in printed data book, DL110/D)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF282ZR1 | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF284SR1 | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF2947 | LOW NOISE TRANSISTORS |
| MRF2947AT1 | LOW NOISE TRANSISTORS |
| MRF2947AT2 | LOW NOISE TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF282Z | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
| MRF282ZR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR FET SOE PKG RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF284 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF284C | 制造商:Motorola Inc 功能描述:284C |
| MRF284LR1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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