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参数资料
| 型号： | MRF557G |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M234, POWER MACRO PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MRF557G |
MRF557
MRF557G
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
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Rev A 9/2005
* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in
the UHF frequency range.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25
°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
16
Vdc
VCBO
Collector-Base Voltage
30
Vdc
VEBO
Emitter-Base Voltage
3.0
Vdc
IC
Collector Current
500
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75
°C
Derate above 75
°C
3.0
40
Watts
mW/
°C
Power Macro
Features
Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 8 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF557T | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF5583 | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRFQ17R2 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRFQ17 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRFQ17R1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF557T | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF5583 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON |
| MRF559 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF559G | 功能描述:TRANS NPN 16V 150MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF559GT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF559GT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
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