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参数资料
| 型号： | MRF5812R2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | MRF5812R2 |
1
MRF581 MRF5812R1, R2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
The RF Line
NPN Silicon
High-Frequency Transistors
Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz.
Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz)
Low Intermodulation Distortion
High Gain
State–of–the–Art Technology
Fine Line Geometry
Arsenic Emitters
Gold Top Metallization
Nichrome Thin–Film Ballasting Resistors
Excellent Dynamic Range
Fully Characterized
High Current–Gain Bandwidth Product
MRF5812 available in tape and reel packaging by adding suffix:
R1 suffix = 500 units per reel
R2 suffix = 2,500 units per reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MRF581
MRF5812
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
18
15
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
36
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
2.5
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
200
mAdc
Thermal Resistance
θJC (1)
MRF581
R
θJC
40
°C/W
Thermal Resistance
θJC (1)
MRF5812
R
θJC
45
°C/W
Total Device Dissipation @ TC = 75°C (1)
Derate above TC = 75°C
MRF581
PD
1.88
25
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 75°C (1)
Derate above TC = 75°C
MRF5812
PD
1.67
22.2
Watts
mW/
°C
Storage Junction Temperature Range
Tstg
– 55 to +150
°C
Maximum Junction Temperature
TJmax
150
°C
DEVICE MARKING
MRF5812 = 5812
NOTE:
1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.
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by MRF581/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MRF581
MRF5812R1, R2
IC = 200 mA
LOW NOISE
HIGH–FREQUENCY
TRANSISTORS
NPN SILICON
CASE 317–01, STYLE 2
MRF581
CASE 751–06, STYLE 1
SORF (SO–8)
MRF5812
Motorola, Inc. 1998
REV 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF581 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF586 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| MRF586 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| MRF586 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF581A | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MRF581AG | 功能描述:TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF581AGT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk |
| MRF581G | 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF581GT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk |
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