- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF5P21180HR6 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5P21180HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 410K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.16GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 38W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21180HR6
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model
2 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
Charge Device Model
C7 (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
(1)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 65 Vdc, VGS
= 0 Vdc)
IDSS
—
—
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, VGS
= 0)
IDSS
—
—
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, VDS
= 0 Vdc)
IGSS
—
—
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(1)
(VDS
= 10 Vdc, ID
= 200
μAdc)
VGS(th)
2.5
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(3)
(VDS
= 28 Vdc, ID
= 1600 mAdc)
VGS(Q)
—
3.6
—
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(1)
(VGS
= 10 Vdc, ID
= 2 Adc)
VDS(on)
—
0.26
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(1)
(VDS
= 10 Vdc, ID
= 2 Adc)
gfs
—
5
—
S
Dynamic Characteristics
(1,2)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
= 0 Vdc)
Crss
—
1.7
—
pF
Functional Tests
(3)
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
= 28 Vdc, IDQ
= 1600 mA, Pout
= 38 W Avg., f = 2157.5 MHz,
2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±5 MHz Offset. IM3
measured in 3.84 MHz Bandwidth @
±10 MHz Offset. PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
12.5
14
—
dB
Drain Efficiency
ηD
23
25.5
—
%
Intermodulation Distortion
IM3
—
--37.5
--35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
--41
--38
dBc
Input Return Loss
IRL
—
--14
--9
dB
1. Each side of device measured separately.
2. Part internally matched both on input and output.
3. Measurement made with device in push--pull configuration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5P21240HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 |
| MRF5S19060MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 |
| MRF5S19060NBR1 | MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4 |
| MRF5S19090HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S |
| MRF5S19100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5P21180HR6_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21240 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5P21240HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5P21240HR6 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。