参数资料
型号: MRF5S19060MR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 14/16页
文件大小: 498K
描述: MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.93GHz
增益: 14dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 750mA
功率 - 输出: 12W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: TO-270AB
供应商设备封装: TO-270 WB-4
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?55
?10
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 12 W (Avg.), I
DQ
= 750 mA
Two?Tone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz
5th Order
3rd Order
?15
?20
?25
?30
?35
?40
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
?90
1 10 100
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
?10
= 28 Vdc, I
35 ?20DD
DQ
= 750 mA
TC
= ?30
C
25C
ηD
f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz
85C
30
?30
25
?40
15
?60
?50
20
V
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier
Spacing, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
36 37 38 41 43
44
54
30
31
P3dB = 49.4 dBm (87 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 750 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
50
46
44
32 3433 35 4239
40
Actual
Ideal
P1dB = 48.65 dBm (73.3 W)
51
49
45
100
10
16
1
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 750 mA
f = 1960 MHz
TC
= ?30
C
25C
85C
10
15
14
13
12
11
50
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
= 32 V
28 V
IM3
Gps
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IM3, (dBc), ACPR (dBc)
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10
16
30 9050
70
15
12
11
14
13
IDQ
= 750 mA
f = 1960 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
?50
?45
5
10
85C
25C
?30C
?30C
C
25C
85
?30C
25C
85C
85C
?30C
25C
24 V
?70
?80
47
48
52
53
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