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参数资料
| 型号： | MRF5S19060NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 595K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12W 28V TO-270-4 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 12W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MRF5S19060NR1CT |
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with
frequencies from 1930 to 1990 MHz. The high gain and broadband
performance of these devices make them ideal for large-signal, common-
source amplifier applications in 28 Volt base station equipment.
?
Typical 2-carrier N-CDMA Performance: VDD
= 28 Volts, I
DQ
= 750 mA,
Pout
= 12 Watts Avg., 1990 MHz, IS-95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability on CCDF.
Power Gain ? 14 dB
Drain Efficiency ? 23%
IM3 @ 2.5 MHz Offset ? -37 dBc in 1.2288 MHz Channel Bandwidth
ACPR @ 885 kHz Offset ? -51 dBc in 30 kHz Channel Bandwidth
?
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 12 Watts CW
Output Power
Features
?
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
?
Internally Matched for Ease of Use
?
Integrated ESD Protection
?
200°C Capable Plastic Package
?
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
?
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
-0.5, +65
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
-0.5, +15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
218.8
1.25
W
W/°C
Storage Temperature Range
Tstg
- 65 to +175
°C
Operating Junction Temperature
TJ
200
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(1,2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 75°C, 12 W CW
RθJC
0.80
°C/W
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRF5S19060N
Rev. 7, 10/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
MRF5S19060NR1
MRF5S19060NBR1
1930-1990 MHz, 12 W AVG., 28 V
2 x N-CDMA
LATERAL N-CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 1486-03, STYLE 1
TO-270 WB-4
PLASTIC
MRF5S19060NR1
CASE 1484-04, STYLE 1
TO-272 WB-4
PLASTIC
MRF5S19060NBR1
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2008. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MIN02-002DC250J-F | CAP MICA 25PF 300V 5% SMD |
| MIN02-002DC240J-F | CAP MICA 24PF 300V 5% SMD |
| MIN02-002DC220J-F | CAP MICA 22PF 300V 5% SMD |
| MRF7S19100NBR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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